Jülich, 5. Dezember 2013 – Prof. Rainer Waser gehört zu den Gottfried Wilhelm Leibniz-Preisträgerinnen und -Preisträgern 2014. Das hat die Deutsche Forschungsgemeinschaft heute bekannt gegeben. Waser verfolgt aussichtsreiche Ansätze für neuartige elektronische Bauelemente, die künftig dazu beitragen könnten, den Energieverbrauch von Computern, Sensoren oder Energiewandlern drastisch zu reduzieren. Der studierte Chemiker ist zugleich am Forschungszentrum Jülich und als Professor an der RWTH Aachen in der Jülich-Aachen Research Alliance (JARA) beschäftigt.
Prof. Achim Bachem, Vorstandsvorsitzender des Forschungszentrums Jülich, beglückwünschte Rainer Waser kurz nachdem die DFG die Entscheidung ihres Hauptausschusses veröffentlicht hatte: "Wir alle in Jülich gratulieren Rainer Waser zu dieser großen Auszeichnung. Wir sind stolz und freuen uns, dass das Forschungszentrum die wissenschaftliche Heimat eines solchen Ausnahmeforschers ist." Der Gottfried Wilhelm Leibniz-Preis ist der wichtigste Forschungsförderpreis in Deutschland. Der jährlich von der DFG vergebene Preis ist mit bis zu 2,5 Millionen Euro dotiert.
Rainer Waser leitet den Bereich Elektronische Materialien am Peter Grünberg Institut des Forschungszentrums Jülich sowie das Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik II (IWE II) an der RWTH Aachen. Beide Einrichtungen sind Teil der JARA-Sektion Fundamentals of Future Information Technology“ (JARA-FIT). Sein Forschungsschwerpunkt liegt seit einigen Jahren auf der Untersuchung und Entwicklung von elektronischen Bauelementen für künftige Rechner, sogenannte redox-basierte resistive Speicher, kurz ReRAM.
Die ReRAM-Speicherzellen verfügen über einen dauerhaft veränderlichen elektrischen Widerstand. Die gespeicherten Informationen bleiben daher auch dann erhalten, wenn kein Strom fließt. Gleichzeitig lassen sich ReRAM-Speicherelemente tausendmal schneller schalten und benötigen tausendmal weniger Energie als die Elemente heutiger Flash-Speicher. Da sie nicht nur die binären Zustände "0" und "1" sondern auch Zwischenwerte einschreiben können, gelten sie darüber hinaus als vielversprechender Ansatz für sogenannte neuromorphe Schaltungen. Diese sind nach dem Vorbild der Nervenzellen im Gehirn als künstliches neuronales Netz aufgebaut und könnten die Lernvorgänge natürlicher Synapsen reproduzieren.
Das physikalische Phänomen, das den resistiven Zellen zugrunde liegt, wurde bereits in den 1960er Jahren entdeckt, konnte zunächst aber nicht im Detail geklärt werden. Wasers Arbeitsgruppe gelang es im Jahre 2006 den grundlegenden mikroskopischen Mechanismus aufzudecken. Die Erkenntnisse wurden in der Fachzeitschrift Nature Materials veröffentlicht und international vielfältig aufgegriffen.
Inzwischen beschäftigen sich alle großen Halbleiterspeicherhersteller und Forschungsinstitute auf diesem Gebiet mit diesem Thema. Die Entwicklung von ReRAMs avancierte damit in den letzten Jahren zu einem der Megatrends in der Nanoelektronik. Rainer Waser und seine Mitarbeiter kooperieren heute unter anderem mit den Firmen Intel, Hewlett-Packard, Samsung und Toshiba. Ihre wissenschaftlichen Veröffentlichungen wurden bisher etwa 4.000 mal in anderen wissenschaftlichen Arbeiten zitiert, womit die Arbeitsgruppe die Zitationsstatistik auf dem Gebiet der ReRAM klar anführt.
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